β-C_3N_4,β-Si_3N_4和β-Ge_3N_4的能带结构

段玉华; 张开明; 谢希德

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β-C_3N_4,β-Si_3N_4和β-Ge_3N_4的能带结构

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采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C_3N_4,β-Si_3N_4和β-Ge_3N_4的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279 eV。对于β-C_3N_4,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si_3N_4,Si的3d轨道对价带的影响很大;而在β-Ge_3N_4中,Ge的3d轨道仍保持原子轨道的特性不变,其4d空轨道与Si的3d轨道的作用相似,但对能带结构的影响较小。

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来源
《物理学报》 |1996年第3期|512-517|共6页
作者
段玉华; 张开明; 谢希德;
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作者单位

复旦大学物理学系;

上海200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
氮化硅; 能带结构; 半导体;

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