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一种通过构造一维超结构来调制二维材料能带结构的方法

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本发明公开了一种通过构造一维超结构来调制二维材料能带结构的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔在管式炉中950～1000℃退火8～10小时，确保金箔表面产生Au(001)重构；2)将退火处理后的金箔送入高温管式炉中，采用化学气相沉积法在Au(001)基底上生长二维材料，借助Au(001)基底具有独特的一维条状超结构使得二维材料也表现出一维条状超结构，达到调制二维材料能带结构的结果。该调制方法简便易操作。

著录项

公开/公告号CN108022826A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-11

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN201610930091.8
发明设计人张艳锋;周协波;洪敏;史建平;张哲朋;
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申请日2016-10-31
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/26(20060101);C23C16/30(20060101);
代理机构11472 北京方安思达知识产权代理有限公司;
代理人王宇杨;李彪
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-06-19 05:21:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20161031

实质审查的生效
2018-05-11

公开

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