硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究

赵鸿飞; 杜磊; 何亮; 包军林

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针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出单结晶体管基区主要的γ射线辐照机制位移效应较电离效应具有一定滞后性的观点,解决了原有矛盾,对器件加固的研究具有重要意义.

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来源
《物理学报》 |2011年第2期|750-755|共6页
作者
赵鸿飞; 杜磊; 何亮; 包军林;
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作者单位

西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;

西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;

西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;

西安电子科技大学大学徽电子学院,西安,710071;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
单结晶体管; γ射线; 实时监测; 基区电阻;

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