低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

刘玉荣; 陈伟; 廖荣

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以高掺杂Si单晶片作为衬底凡充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10-2cm2/V·s.通过对金属-聚合物-氧化物层-硅半导体(MPOS)结构电容器的电容-电压(C-V)特性测试发现,MPOS电容器的电容呈现出明显的频率依赖性和C-V迟滞现象,对其产生的物理机理进行了讨论.

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来源
《物理学报》 |2010年第11期|8088-8092|共5页
作者
刘玉荣; 陈伟; 廖荣;
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作者单位

华南理工大学电子与信息学院,广州510640;

华南理工大学电子与信息学院,广州510640;

华南理工大学电子与信息学院,广州510640;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
聚合物薄膜晶体管; 聚三己基噻吩; 场效应迁移率; 高k栅介质;

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