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择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征

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采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对 (100)MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在(100)Si和(100)TiN/Si两种衬底上,不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构,表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中,利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(550 nm处折射率为1.692),利用非均匀模型获得了TiN/Si衬底上的MgO薄膜在可见光波段的折射率参数 (靠近空气层的薄膜在550nm处折射率为1.716).

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来源
《物理学报》 |2009年第7期|5007-5012|共6页
作者
傅兴海; 尹伊; 张磊; 叶辉;
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作者单位

浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
MgO薄膜; 择优取向; 直流溅射; 折射率拟合;

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