GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

李炳乾; 郑同场; 夏正浩

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

对GaN基蓝光发光二极管(LED)正向电压温度特性进行了研究,发现在温度较高时,正向电压随温度的变化系数逐渐减小,直至出现拐点,正向电压随温度的变化系数由负数变为正数.此时若继续升高温度,则正向电压随温度升高迅速增加,并常常伴随有器件失效的现象发生.在小电流情况下,这种现象不很明显,随着电流的增加,现象表现得越来越明显,拐点出现的温度也越来越低,而且温度超过拐点之后,正向电压值增加得更快.通过与相同封装的另一组器件测试结果对比,排除了封装材料玻璃转换温度的影响.分析认为,这一现象的出现是由器件等效串联电阻迅速增加所致,而且主要是由器件p型层材料的迅速劣化引起的.研究结果表明通过测量不同电流下正向电压随温度的变化系数能够快速判断GaN基蓝光LED p型层的质量好坏,为研究者和生产者提供了一种快速、简便的测试方法.

著录项

来源
《物理学报》 |2009年第10期|7189-7193|共5页
作者
李炳乾; 郑同场; 夏正浩;
展开▼
作者单位

佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000;

佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000;

佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
发光二极管; 氮化镓; 正向电压; 温度系数;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响∗ [J] . 齐维靖 ,张萌 ,潘拴 . 物理学报 . 2016,第007期
2. 等离子体表面处理对硅衬底GaN基蓝光发光二极管内置n型欧姆接触的影响 [J] . 封波 ,邓彪 ,刘乐功 . 物理学报 . 2017,第004期
3. 透明导电薄膜ITO对GaN基蓝光发光二极管影响的分析 [J] . 杨瑞霞 ,李兴 . 电子制作 . 2014,第003期
4. 低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响 [J] . 罗长得 ,严启荣 ,李正凯 . 华南师范大学学报（自然科学版） . 2013,第003期
5. GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计 [J] . 侯仕东 ,严高师 . 量子电子学报 . 2010,第2期
6. 采用AlGaN/GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管 [C] . . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 透明导电薄膜ITO对GaN基蓝光发光二极管影响的研究 [A] . 李兴 . 2014

GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅