AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

著录项

• 来源
  《物理学报》 |2009年第10期|7282-7287|共6页
• 作者

  江洋; 罗毅; 席光义; 汪莱; 李洪涛; 赵维; 韩彦军;

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• 作者单位

  清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室(筹),集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;

  清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室(筹),集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 物理学;
• 关键词

  残余应力; 表面形貌; SiC衬底; AlGaN插入层;