生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

刘启佳; 邵勇; 吴真龙; 徐洲; 徐峰; 刘斌; 谢自力; 陈鹏

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生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高.合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使v型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.

著录项

来源
《物理学报》 |2009年第10期|7194-7198|共5页
作者
刘启佳; 邵勇; 吴真龙; 徐洲; 徐峰; 刘斌; 谢自力; 陈鹏;
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作者单位

南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;

南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;

南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;

南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;

南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;

南京大学物理系,南京,210093;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
AlGaInN; 金属有机物化学气相沉积; 生长温度;

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