生长温度

摘要： 在耕地上栽培紫花苜蓿、黑麦草、苏丹草等优质高产牧草饲喂牛、羊、鹅等畜禽,是饲用豆粕减量替代、减少进口大豆依赖的重要举措。1紫花苜蓿紫花苜蓿为多年生豆科草本植物,产量高,品质好,干物质中粗蛋白质含量高达21%。紫花苜蓿喜温暖半干半湿气候,在年降雨量250~800 mm、无霜期100 d以上的地区均可种植,最适宜的生长温度为日均15~22°C。

摘要： 掺氮金刚石薄膜不仅同已被广泛研究的掺硼金刚石(BDD)薄膜一样拥有优异的电化学性能,而且具有更加丰富的的结构和物相组成,是一种十分有潜力的CO2电化学还原电极材料.本文采用微波等离子体化学沉积技术通过改变沉积温度(750和850°C)制备获得两种形态结构及组成特点显著不同的新型掺氮金刚石薄膜,SEM、XRD分析表明750°C下生长的薄膜仅含金刚石相且晶粒尺寸在30 nm以下,晶界占比极大,结合Raman光谱图中宽化的D峰和G峰,表明所得膜材为典型的掺氮超纳米金刚石膜(UNCD);而850°C制备的薄膜由金刚石和石墨相组成,极薄的石墨片垂直交叉排列呈"蜂窝"状,尺寸极小金刚石晶粒分布于蜂孔内,为典型的掺氮超纳米金刚石/多层石墨烯复合薄膜(UNCD/MLG).电化学测试结果显示,两种新型掺氮金刚石薄膜均具有宽的电势窗(～3 V),可以有效地抑制CO2还原的析氢竞争反应;同时两种电极都可以有效电催化还原CO2,生成甲酸和CO,甲酸和CO最大法拉第效率分别为38.37％和15.32％.其中850°C生长的UNCD/MLG薄膜具有更好的电化学活性,更高的CO法拉第效率并可产生多电子转移产物甲烷.这得益于其本身"蜂巢"状结构不仅使表面积极大地增加,同时适中的sp3-C/sp2-C比例可以有效结合CO2还原的中间体,增加了产物的多样性.对于掺氮金刚石薄膜材料而言,这种由掺氮超纳米金刚石和多层石墨烯组成的具有丰富孔洞结构的复合膜是一种更有潜力的电催化CO2还原电极材料.

摘要： 加強光照令箭荷花是比较喜光的植物,如果生长在比较阴暗的环境中,植株无法进行光合作用,就会导致叶子发软。这种情况下,需要将植株放到向阳处,让它接受柔和的光照。需要注意的是,它不耐强光,因此不能被暴晒,不然也会影响发育。适当降温令箭荷花的生长温度15°C以上,但不能超过35°C,不然高温会使植株水分流失加快,导致叶子变软。

摘要： 氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料.本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理.AlN的制备过程是氮化处理后以700～1100°C的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌.结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响.AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化.另外,在900°C生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌.V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式.这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景.

摘要： 本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在p型4H-SiC衬底上,制备出沿(403)择优生长的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。结果表明,衬底生长温度对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的形貌、结构、组分,以及生长机理都有重要影响。当生长温度由300°C升高至500°C时,薄膜结晶质量随生长温度升高而提高,当温度进一步升高到600°C时,薄膜结晶质量变差,这是由于在相对低温(500°C以下)阶段,生长温度越高,沉积在衬底上原子的动能越大,越容易迁移,使得β-Ga_(2)O_(3)薄膜主要按照二维生长模式进行生长,薄膜结晶质量提高,表现为随着生长温度升高,粗糙度降低。但当温度上升到600°C时,由于4H-SiC衬底和β-Ga_(2)O_(3)薄膜之间的热膨胀系数存在差异,导致薄膜生长由主要以二维生长模式向三维岛状演变。基于p-4H-SiC/n-β-Ga_(2)O_(3)构筑的异质结太阳电池,其标准测试条件下光电转换效率达到3.43%。

摘要： 采用金属有机化学气相沉积法,以Au为催化剂,在蓝宝石衬底上制备β-Ga2O3一维纳米材料.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、光致发光光谱仪对样品的物相、表面形貌、结构以及发光性能等进行了表征.主要研究了生长温度对其各种性能的影响.结果表明,600°C时,样品呈非晶态的小颗粒;650°C时为非晶态的纳米线;700°C时为结晶态的纳米柱;750°C时为结晶态的大颗粒.随着生长温度升高,样品在357 nm和408 nm处出现发光峰,且其发光强度随温度升高而增强.

摘要： 本文主要利用化学气相沉积法制备氧化锌微纳米结构,分别在沉积系统的下游端生长了形貌不同的氧化锌微纳米棒结构,分析表明,样品表面形貌的不同主要是由于衬底位置不同,不同的衬底位置,纳米晶成核温度不同,因此氧化锌纳米晶的表面形貌不同,本文创新性的给出,利用衬底位置这一单一实验参数来实现氧化锌纳米晶的可控生长,为氧化锌微纳米结构的可控生长提供了实验参数,本文所采用的主要测量手段是扫描电子显微镜和X射线衍射仪。

摘要： 本期“特别策划”讲的是身边的蘑菇。为了真情实感地贯彻“身边”,并将蘑菇知识化为实践,编辑们买来蘑菇菌包,亲自种了起来。叮!你有一个新任务5月21日今天何编辑拿来一堆菌包,诚邀我种植蘑菇。菌包是网购的,里面有培养基和食用菌的菌种,据说随便养一养就能收获蘑菇,操作十分简单。何编辑把它们挨个儿码在我面前:“平菇,比较皮实,生长温度宽泛。”“香菇,喜欢凉爽,现在的气温勉强凑合。”“金针菇,据说很难养。我怕前两个太简单,专门买个难的让你挑战一下。”

摘要： 采用常规的微生物学实验方法,研究桑椹肥大性菌核病病原菌〔Ciboriashiraiana(P.Henn)Wketz.〕生长温度.结果表明,该病原菌丝在PDA培养基上生长良好,可形成白色絮状圆形菌落,并能产生分生孢子梗和分生孢子,菌丝生长温度范围为5-37.5°C,适宜温度为20-30°C,最适温度为25°C,菌丝和菌核的致死温度为50°C10min.采用菌丝生长速率法,研究杀菌剂对桑椹肥大性菌核病病原菌的抑制作用试验.结果表明,8种杀菌剂的3个浓度梯度对桑椹肥大性菌核病病原菌均有一定的抑菌效果.根据最低剂量使用农药原则,并考虑到田间环境会影响防治效果等因素,筛选出40％菌核净可湿性粉剂1.33g/L、25％咪鲜胺和10％丙硫唑悬浮剂2.0g/L作为防治桑椹肥大性菌核病的参考药剂.

摘要： 本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C合金层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820°C)所导致的原子扩散效应相关；Si1-xGex:C合金薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。Si1-xGex:C/Si样品载流子浓度沿衬底至表而方向逐渐上升且Si1-xGex:C合金层总体呈P型导电,本文对其导电分布特性进行了分析研究。

摘要： 多年来,由于InxGa1-xAs(0.53≤x<1)短波红外光电探测器及其阵列在空间遥感、环境监测、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用,因而备受关注.如今,响应截止波长为1.7μm、与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As探测器已经商业化;而响应截止波长更长的短波红外波长扩展InGaAs探测器及其小规模线列器件也初具规模,但更大规模的焦平面制造技术则仍面临较大的挑战.主要是源自于低温缓冲层对界面起到了良好的改善作用。特别是在低温的InAlAs 异变缓冲层和540oC 下生长的In0.83Al0.17As 模板上生长的In0.83Ga0.17As 失配材料，其光荧光强度可提高数倍，如图1 所示。这些研究结果对于未来在GaAs 衬底上研制大规模红外焦平面打下了坚实的基础。

摘要： SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短波长发光器件的理想材料而倍受关注.然而目前SnO2的应用与研究多集中在多晶或者非晶薄膜的光电性能方面,而对SnO2外延薄膜的微观结构及光电性能的研究却还不甚成熟.生长高质量的SnO2外延薄膜并探究薄膜的结构与光学性能的影响因素对于实现SnO2薄膜在短波长发光领域的实际应用具有重要意义.本工作中,采用脉冲激光沉积法(PLD)制备出高质量的SnO2外延薄膜,并系统研究了衬底温度与薄膜厚度对外延薄膜结构及光学性能的影响.

摘要： InGaN/GaNMQW发光波长对温度非常敏感.但是由于石墨载盘高速旋转、晶圆透明等原因,MOCVD外延过程中的温度控制和监测十分困难.本文综合红外温度测量原理、MQW样品的PL波长测量、MQW结构的XRD测量和模拟等手段,研究了测量温度与真实温度的对应关系.在满锅情况下,由于平片衬底与图形衬底对红外辐射的不同散射效果,造成真实温度一致的情况下,测量温度有10度左右的差别.而在少片情况下,蓝宝石衬底的保温效应比较明显,它造成了衬底间的温度干扰和控温不正确,在特定位置出现了较大的波长差别.为了让测量温度尽可能等同于真实温度,需要根据衬底种类、外延层结构等进行温度补偿.为了能稳定、重复的控制少片波长,应该采用每圈放1片衬底.

摘要： 对不同温度下沉积的硫化锌(ZnS)薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究,结果表明:沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响,不同的温度沉积的ZnS薄膜具有不同的择优取向,牢固度和光学常数也都不尽相同.温度为115°C和155°C时,ZnS薄膜的物理性能和光学性能较差,不适合空间用光学薄膜的研制使用.而190°C和230°C沉积温度下所得薄膜具有较好的物理和光学性能,适合于不同要求的空间用薄膜器件的研制使用.

摘要： 为实现微纳结构氧化锌样品制备的可控性，采用气相传输法，利用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪和透射电子显微镜等方法对样品结构的分析表征，实验研究了样品形貌与生长区温度间的关系。实验结果表明，以高纯度锌粉末为原料，通过固定蒸发区温度800°C、控制生长区温度在450-600°C变化，能够有效实现对样品形貌的控制。进一步的理论分析表明，相应的控制机理可以归结为温度变化通过对锌蒸汽过饱和度的影响，决定着晶体生长过程中的晶核数量、临界半径、生长方式和速度等微观机制。

摘要： 通过对分离获得的一株对菌盖疣孢霉菌有拮抗作用的菌株,进行形态特征的观察、生物学特性研究、生理生化实验、16SrDNA测序鉴定以及采用VITEK全自动微生物鉴定仪进行鉴定得到其初步鉴定结果.初步鉴定结果表明该菌为枯草芽孢杆菌.生物学特性研究结果表明该菌的生长温度范围为37°C～45°C,最适生长温度为37°C;生长的pH范围为6.0～8.0;生长的NaCl质量分数为1%～12%;在30h～72 h之间为该菌的对数生长期.

摘要： 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率降低,In含量降低；而随着生长压力的降低,AlInN的生长速率增大,In含量增加,且AlInN组分的不均匀性会减弱。AlInN的晶体质量随着生长温度的提高或生长压力的降低而提高,除了最低的生长压力外。此外,随着生长温度的提高或生长压力的降低,AlInN的表面会变平坦,这与表面吸附的Al原子的迁移能力增强有关。

摘要： 以长春市栽培的绿化树种小叶丁香为材料,观测花期物候特征,结果表明:不同年份的花期变化在14～16 d之间,盛花期为8～9 d,始花期相差6d.花期物候与冬季温度和春季温度之间有极显著的相关性,冬季、春季温度偏高的年份始花期物候提前,反之始花期物候延迟.小叶丁香具有二次开花特性,第一次花期为5月份,第二次开花为7月中旬～9月上旬.

摘要： 本发明提供用于温度梯度法生长稀土倍半氧化物晶体的热场装置，包括基座、保温桶、石墨硬毡保温层、第一支架、第二支架、坩埚、上保温层、感应加热线圈；保温桶固定于基座上；石墨硬毡保温层设置于保温桶内，且石墨硬毡保温层中部设有坩埚放置孔；第一支架穿过基座和石墨硬毡保温层，且第一支架顶部位于坩埚放置孔内；第二支架设于第一支架底部；坩埚置于坩埚放置孔内，且底部与第一支架顶部接触；上保温层设于保温桶的顶部；感应加热线圈环设于保温桶外侧壁上。该热场装置使用中频感应的加热方式，设计了合适的保温层为基础的热场环境，使得温度梯度呈现一个上热下冷的渐变过程，保证了晶体的定向生长。

摘要： 本发明提供了一种用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，包括以下步骤，首先推算稀土晶体生长过程中，晶体生长空间内的温度梯度值；所述温度梯度值包括轴向温度梯度和径向温度梯度；然后根据上述步骤得到的温度梯度值、保温材料的热导率以及保温材料的外形结构，经计算后，得到用于稀土晶体生长工艺的温度场结构。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，利用晶体生长过程中的传热方程计算理论温度梯度，结合实际生长中的温度梯度，设计并固定不同的温度场结构，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。

摘要： 本发明公开了在物理气相沉积系统的连续制造工艺中在衬底上形成材料的薄膜，其中在具有低于约500°C的温度以下实施的第一期的可变温度生长阶段期间沉积材料，且在第二期随着温度变化至大于约800°C连续沉积材料。

摘要： 本发明涉及一种应用于VGF/VB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装置为网栅式，网栅内置待腐蚀GaAs原料。方法过程如下：把原料卡放在原料固定装置后，再全部放进原料腐蚀盒，打开排风系统，把腐蚀原料盒放到工作台上，倒进腐蚀液进行腐蚀，腐蚀规定的时间后，用热纯水冲洗干净后，放它烘干炉中烘干备用。本发明的优点是：使得在腐蚀原料时，原料容易装进容器，且容易固定，腐蚀过程中可以对原料进行翻动，使得腐蚀原料时能够干净且均匀，满足了生长单晶时对原料清洁度及化学计量比的需要。

摘要： 本实用新型涉及一种应用于VGF/VB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装置为网栅式，网栅内置待腐蚀GaAs原料。方法过程如下：把原料卡放在原料固定装置后，再全部放进原料腐蚀盒，打开排风系统，把腐蚀原料盒放到工作台上，倒进腐蚀液进行腐蚀，腐蚀规定的时间后，用热纯水冲洗干净后，放它烘干炉中烘干备用。本实用新型的优点是：使得在腐蚀原料时，原料容易装进容器，且容易固定，腐蚀过程中可以对原料进行翻动，使得腐蚀原料时能够干净且均匀，满足了生长单晶时对原料清洁度及化学计量比的需要。

摘要： 本发明涉及一种使微生物在高于其极限生长温度下生长的方法。本发明还提供了分子伴侣蛋白的用途。本发明为微生物(特别是工业微生物)菌种的改造、应用与优化提供了全新的途径。

摘要： 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。

摘要： 本发明公开了一种低应力碳化硅晶体生长温度场设置及晶体生长方法，通过在石墨坩埚位置上方籽晶一端增加一段辅助独立加热线圈，该辅助独立加热线圈与晶体生长炉加热线圈同轴同径，通过该辅助独立加热线圈实现防止降低籽晶背部温度降低过速，实现轴向温度梯度可控目的。将石墨坩埚内放入高纯碳化硅粉料，碳化硅籽晶固定于石墨坩埚盖内部，将密封的石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，生长过程中通过辅助独立加热线圈调节籽晶端温度值，保持晶体生长温度在1900°C‑2400°C，其中衬底温度在2100°C以下，原料温度大于2300°C，通入惰性气体作为载气，反应室内气压在1‑4kPa，生长时间大于70小时，即可生长出低应力碳化硅晶体。

摘要： 本发明涉及一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法，该装置包括设置在炉架上的加热炉，在炉架上方位于加热炉的一侧设置有支撑架，支撑架滑动连接有载重架，所述的载重架包括线圈固定架和载重架臂，所述线圈固定架包括圆环固定架，圆环固定架上设置有线圈支架，圆环固定架与载重架臂固定连接，在线圈支架上设置有感应线圈，圆环固定架、线圈支架及感应线圈套设在加热炉外围，感应线圈电连接中频变压器。进行晶体生长时，感应线圈沿轴向上下平稳移动，使温度场与生长界面同步移动，解决了现有SiC单晶生长过程中前沿温度逐渐升高和径向温度逐渐加大的问题，避免SiC单晶生长过程中生长温度变化导致的多型相变的发生。

摘要： 本发明涉及一种使微生物在高于其极限生长温度下生长的方法。本发明还提供了分子伴侣蛋白的用途。本发明为微生物(特别是工业微生物)菌种的改造、应用与优化提供了全新的途径。