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可变温度材料生长阶段及薄膜生长

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摘要

本发明公开了在物理气相沉积系统的连续制造工艺中在衬底上形成材料的薄膜，其中在具有低于约500℃的温度以下实施的第一期的可变温度生长阶段期间沉积材料，且在第二期随着温度变化至大于约800℃连续沉积材料。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/00 申请公布日:20151028 申请日:20140213

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-02-24

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/00 申请日:20140213

实质审查的生效
2015-10-28

公开

公开

1. 可变温度材料生长阶段及薄膜生长 [P] . 中国专利： CN105008583A . 2015-10-28
2. 半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法 [P] . 中国专利： CN104726841A . 2015-06-24
3. Material growth stages in the case of a variable temperature and thin film growth [P] . 德国专利： DE112014000750T5 . 2015-10-29

机译：温度变化和薄膜生长情况下的材料生长阶段
4. METHOD OF ELECTROLESS DEPOSITION OF THIN METAL AND DIELECTRIC FILMS WITH TEMPERATURE CONTROLLED ON STAGES OF FILM GROWTH [P] . 世界知识产权组织专利： WO2004046410A3 . 2004-12-09

机译：薄膜生长阶段温度控制的薄金属和电介质膜的化学沉积方法
5. METHOD OF ELECTROLESS DEPOSITION OF THIN METAL AND DIELECTRIC FILMS WITH TEMPERATURE CONTROLLED ON STAGES OF FILM GROWTH [P] . AU2003294308A1 . 2004-06-15

机译：薄膜生长阶段温度控制的薄金属和电介质膜的化学沉积方法