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一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统

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本实用新型涉及一种应用于VGF/VB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装置为网栅式，网栅内置待腐蚀GaAs原料。方法过程如下：把原料卡放在原料固定装置后，再全部放进原料腐蚀盒，打开排风系统，把腐蚀原料盒放到工作台上，倒进腐蚀液进行腐蚀，腐蚀规定的时间后，用热纯水冲洗干净后，放它烘干炉中烘干备用。本实用新型的优点是：使得在腐蚀原料时，原料容易装进容器，且容易固定，腐蚀过程中可以对原料进行翻动，使得腐蚀原料时能够干净且均匀，满足了生长单晶时对原料清洁度及化学计量比的需要。

著录项

公开/公告号CN201567385U

专利类型实用新型
公开/公告日2010-09-01

原文格式PDF
申请/专利权人北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司;
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申请/专利号CN200920352326.5
发明设计人屠海令;苏小平;张峰燚;王思爱;杨海;王铁艳;黎建明;
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申请日2009-12-23
分类号C30B11/00(20060101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人郭佩兰
地址 100088 北京市新街口外大街2号
入库时间 2022-08-21 23:12:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-02-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B11/00 授权公告日:20100901 终止日期:20151223 申请日:20091223

专利权的终止
2013-08-28

专利权的转移 IPC(主分类):C30B11/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130807 申请日:20091223

专利申请权、专利权的转移
2010-09-01

授权

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