沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

宋禹忻; 俞重远; 刘玉敏

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采用动力学蒙特卡罗模型模拟了沉积速率和生长停顿对GaAs衬底中垂直耦合InAs量子点超晶格生长早期阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均尺寸、岛尺寸分布及其标准差等方面的研究,发现综合控制沉积速率和生长停顿时间能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列.这对后续量子点超晶格生长过程中量子点的定位有重要影响.

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来源
《物理学报》 |2008年第4期|2399-2403|共5页
作者
宋禹忻; 俞重远; 刘玉敏;
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作者单位

北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;

北京邮电大学理学院,北京,100876;

北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;

北京邮电大学理学院,北京,100876;

北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;

北京邮电大学理学院,北京,100876;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
动力学蒙特卡罗模拟; 量子点超晶格; 外延生长;

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