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中红外波段硅基两维光子晶体的光子带隙

         

摘要

利用电化学腐蚀的方法制备了大多孔硅两维光子晶体.结构图形对称性为正方格子,其结构参数为正方形晶格周期α=44μm,正方形空气柱的边长l=2μm.并用显微红外光谱仪表征了光谱性质,揭示了所制备两维光子晶体样品的中红外波段光子的反射特性.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2005年第1期|411-415|共5页
  • 作者单位

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    华东师范大学电子科学与工程系,上海,200062;

    华东师范大学电子科学与工程系,上海,200062;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    光子晶体; 光子带隙; 反射谱; 时域有限差分法;

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