非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 许玲; 曾湘波; 郝会颖; 孔光临

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非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

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运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.

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来源
《物理学报》 |2005年第5期|2302-2306|共5页
作者
胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 许玲; 曾湘波; 郝会颖; 孔光临;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

云南师范大学能源与环境科学学院,昆明,650092;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

云南师范大学能源与环境科学学院,昆明,650092;

云南师范大学能源与环境科学学院,昆明,650092;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
非晶硅; 太阳电池; 计算机模拟;

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