考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

谢国锋; 王德武; 应纯同

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考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

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采用PIC-MCC方法研究了AVLIS工程中一维RF共振法离子引出和收集过程,重点研究离子在收集板上造成的溅射损失以及离子的收集效率.模拟结果表明,RF共振法与平行板静电场法相比,引出时间较短,碰撞损失和溅射损失较低,收集率较高;增加引出电压,可以缩短引出时间,降低碰撞损失,但是增加了溅射损失,使得收集率降低;增大磁场强度,使碰撞损失降低,溅射损失增加,收集率降低.

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来源
《物理学报》 |2005年第5期|2147-2152|共6页
作者
谢国锋; 王德武; 应纯同;
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作者单位

清华大学工程物理系,北京,100084;

清华大学工程物理系,北京,100084;

清华大学工程物理系,北京,100084;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
AVLIS; PIC-MCC; 离子引出; 溅射;

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