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Kerr非线性对一维光子晶体能带的影响

         

摘要

研究Kerr非线性对一维光子晶体的能带的影响.光子晶体中加入Kerr非线性材料后,光子晶体的带边可随局部光强调制.由于带边随光强变化,线性光量子阱中的电磁本征模将进入线性带隙的频率范围而形成孤子类电磁模.由于非线性的作用,带隙中有许多新的孤子模出现.

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