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潘士宏; 王忠和; 黄硕; 张存洲; 周小川; 徐贵昌; 蒋健; 陈忠圭;
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机译:气源分子束外延生长InGaP / GaAs异质结构界面的光反射研究
机译:通过分子束外延生长具有(411)A超平坦界面的GaAs / AlAs量子阱的光反射特性
机译:硅掺杂对(111)Si基上无催化剂分子束外延蒸气液体固体生长的GaAs纳米线的光致发光和光反射光谱的影响
机译:通过分子束外延在(411)上生长的假形调制促进的N-AlgaAs / InGaAs / GaAs量子孔中的电学特性通过分子束外延产生GaAs基材
机译:砷化铝镓/砷化铟镓单量子阱调制掺杂的场效应晶体管结构的分子束外延生长和表征。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延
机译:栅格不匹配的(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为Gaas上的调制掺杂场效应晶体管:分子束外延生长和器件性能
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
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