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阎春辉; 郑海群; 范缇文; 孔梅影; 曾一平; 黄运衡; 朱世荣; 孙殿照;
中国科学院半导体研究所;
分子束外延; 半导体材料; 砷化镓; 界面失配; GaAsSb;
机译:(001)GaAs衬底上分子束外延生长重掺杂Sn的GaAs_(1-x)Sb_x外延层的光学表征
机译:分子束外延生长和II型(GaAs_(1-x)Sb_x / In_yGa_(1-y)As)/ GaAs双层量子阱的光致发光
机译:Si(111)上高质量Ga催化的GaAs_(1-x)Sb_x(x> 0.8)纳米线的分子束外延生长,光致发光发射达到1.7μm
机译:IN_(0.53)GA_(0.47)AS / GAAS_(1-X)SB_X II型由分子束外延在INP上生长的紧张MQW结构
机译:通过自催化分子束外延对GaAs1-XSBX轴向纳米线和销连接的研究
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:使用界面失配阵列通过分子束外延在GaAs上生长的GaSb热光伏电池
机译:太阳能电池中有机金属气相外延al / sub X / Ga / sub 1-X / as和al / sub X / Ga / sub 1-X / as / Gaas界面的电学和光学性质研究。进展报告,1981年12月16日至1982年12月
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
机译:gaas深1-x高失配杂磷的氮含量的测定方法
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