InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型

邓小庆; 邓联文; 何伊妮; 廖聪维; 黄生祥; 罗衡

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InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型

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cqvip:研究了非晶氧化锌镓铟薄膜晶体管(amorphous InGaZnO thin-film transistor,InGaZnO TFT)的泄漏电流模型.基于Poole-Frenkel热发射效应和热离子场致发射效应的泄漏电流产生机制,分别得到了高电场和低电场条件下的载流子产生-复合率.在此基础上推导得到了InGaZnO TFT的分段式泄漏电流-电压数学模型,并利用平滑函数得到了关断区和亚阈区连续统一的泄漏电流模型.所提出的泄漏电流模型的计算值和TCAD模拟值与实验结果较为吻合.利用所提出的InGaZnO TFT泄漏电流模型和TCAD模拟,讨论了InGaZnO TFT不同的沟道宽度、沟道长度和栅介质层厚度对泄漏电流值的影响.研究结果对InGaZnO TFT集成传感电路的设计具有一定参考价值.

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来源
《物理学报》 |2019年第5期|213-219|共7页
作者
邓小庆; 邓联文; 何伊妮; 廖聪维; 黄生祥; 罗衡;
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作者单位

中南大学物理与电子学院长沙 410083;

湖南省新型片式电感及先进制造装备工程技术研究中心怀化 419600;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
InGaZnO; 泄漏电流; thin-film transistor; 器件模型;

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