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梁婷; 王阳阳; 刘国宏; 符汪洋; 王怀璋; 陈静飞;
中国人民解放军陆军防化学院 北京 102205;
掺杂; 二维MoS2; 第一性原理计算; 气敏机理;
机译:掺杂3d过渡金属离子的单层MoS2的应变可调磁性能:第一性原理研究
机译:Fe4N / MoS2超晶格中MoS2的界面杂化和p型掺杂引起的磁性:第一性原理研究
机译:掺杂剂引入的单层磷化硼的选择性气体吸附和I-V响应:第一性原理研究
机译:SiGe单层上气体吸附作为传感器应用的第一性原理研究
机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
机译:V掺杂的WCoB和W2CoB2三元硼化物的力学性能和电子结构的第一性原理研究
机译:La掺杂在SrTiO3(001)表面产生的二维电子气:第一性原理研究
机译:Ir-Zr-Nb三元体系的第一性原理研究
机译:原位掺杂铁杆进入MOS2朝向二维稀释磁半导体
机译:直接在二维层中交联的硅酸盐表面上直接进行气化的工艺;二维硅酸盐交联层;产品。树脂填充系统;和方法以提高机械强度和填充树脂体系的加入性能
机译:数据交换系统,数据交换计算机,数据交换方法,第一性能程序和第二性能程序
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