多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响

董刚; 刘荡; 石涛; 杨银堂

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多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响

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本文主要讨论了多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响,得到了器件沟道沿[100]方向时,硅通孔之间的角度和间距对电子迁移率和阻止区的影响.设定两种阻止区区域,即迁移率变化分别为5%和10%的区域,且主要考虑相邻TSV之间的区域.仿真结果表明:当硅通孔和X轴所成角度为π/4时,电子迁移率变化和阻止区区域最小,但是可布置器件区域不规则,不易于布局.随着间距的增加,电子迁移率变化和阻止区区域逐渐增大,趋向于单个TSV的情况;当角度为0时,电子迁移率变化和阻止区区域变大,可布置器件区域为硅通孔围成的中心小区域上,形状比较规则,便于布局.而且随着间距的增加,电子迁移率变化和阻止区区域越来越小,趋向于单个硅通孔的情况.

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来源
《物理学报》 |2015年第17期|265-272|共8页
作者
董刚; 刘荡; 石涛; 杨银堂;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
硅通孔; 热应力; 迁移率变化; 阻止区;

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