双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想

机译：施加大电流脉冲的InGaAsP / InP双异质结构发光二极管和GaAlAs双异质结构发光二极管的灾难性退化机理

机译：InP / InGaAsP / InP双异质结太阳能电池短路电流的改善

机译：InP-InGaAsP异质结雪崩光电二极管的光电性能

机译：通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：酵母肌醇多磷酸5-磷酸酶Inp52p和Inp53p转移到肌动蛋白补丁后高渗应激：调节血浆膜内陷的磷脂酰肌醇45-双磷酸肌醇的机制。

机译：使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数

机译：Be-Implanted GaInasp / Inp双异质结激光二极管。

机译：InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。

机译：INP / GAINASP双异质激光二极管，包含在双通道基板上的内置封闭式P-N结，具有潜伏的有源层，并且通过单步液相定律生产

机译：具有内置式阻挡层，双异质结构的埋入式活动层的INP / GAINP激光二极管以及通过单阶段液态外延程序制造激光二极管的方法