首页> 中国专利> 基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法

基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。本发明基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法将金刚石材料应用于光吸收层，该材料在日盲区的光透率极高，有利于提高光吸收层的光吸收能力，能够大幅提高光电探测二极管的器件性能。

著录项

公开/公告号CN109326682B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201810906340.9
发明设计人王悦湖;张菊;王雨田;张玉明;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;
展开▼

申请日2018-08-10
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/028(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/11(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郝梦玲
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:07:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-31

授权

授权
2019-03-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20180810

实质审查的生效
2019-02-12

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109326682B . 2020.07.31
2. 基于双异质结的Ga₂O₃/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN106449894A . 2017-02-22
3. INP/GAINASP DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASER DIODES CONTAINING BUILT-IN CLOSING P-N JUNCTIONS ON A DOUBLE CHANNELED SUBSTRATE, WITH BURIED ACTIVE LAYER AND ITS PRODUCTION BY MEANS OF THE ONE-STEP LIQUID PHASE EPITAXY [P] . CA2005555A1 . 1990-06-15

机译： INP / GAINASP双异质激光二极管，包含在双通道基板上的内置封闭式P-N结，具有潜伏的有源层，并且通过单步液相定律生产
4. RAPID PHOTODETECTOR BASED ON GRAPHENE/BLACK PHOSPHORUS/MOLYBDENUM DISULFIDE/GRAPHENE HETEROJUNCTION, AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . WO2021077837A1 . 2021-04-29

机译：基于石墨烯/黑磷/钼二硫化物/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法
5. RAPID PHOTODETECTOR BASED ON GRAPHENE/MOLYBDENUM DISULFIDE/GRAPHENE HETEROJUNCTION, AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . WO2021077839A1 . 2021-04-29

机译：基于石墨烯/钼二硫化物/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法