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董树忠; 包信和; 邓景发;
复旦大学化学系;
复旦大学现代物理研究所;
高氧压; 电子结合能; 吸附氧; 银表面; 吸附态; 氧吸附; XPS; 表面处理; 暴露量;
机译:Synchrotron XPS研究集电极在金及金和银:银合金表面上的吸附和共吸附
机译:SERS,XPS和DFT研究银和金表面上腺嘌呤的吸附
机译:XPS和SRUPS研究氧在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(111)A表面上的吸附
机译:XPS研究(3x3)重建MBE生长的GaN表面上的氧吸附
机译:富氧砷化镓(100)-(2 x 1)和beta(4 x 2)表面上原子氧和铝化学吸附的多体摄动理论研究。
机译:密度函数理论与吸附XPS研究氰化物在黄铜矿表面上
机译:XPS研究(3x3)重建的MBE生长的GaN表面上的氧吸附
机译:静电作用下金属表面的分子取向:环状戊烯在阶梯状(221)银表面上的吸附
机译:区分硬表面上的至少两种不同类型的残留物包括具有吸附材料的接触体,该吸附材料包含适于将残留物与待研究表面吸附的化学物质。
机译:提供一种方法的方法是,在至少一个已证明的表面上,通过将氧化硅或银与半导电表面上的氧化硅或银结合在铅框架或布线基板的表面上,以将氧化硅或银结合在一个半导体元件的表面上
机译:通过在基体表面上将银或氧化银直接键合在半导体元件表面上的氧化银来制造半导体器件的方法
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