用CR传输线模型研究涂层/金属体系阻抗谱

孙秋霞; 张鉴清; 林昌健

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用CR传输线模型研究涂层/金属体系阻抗谱

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根据 CR传输线模型和 QR电路之间的关系,建立了拟合其初值的计算方法,借助 Z- View软件,可求得各元件精确值.根据电容(Ci)和电阻(Ri)随特征频率(f*)的分布,推导了元件相对增量与恒相位角元件(Q)指数参数 n的关系,结果表明,当 n小于 0.5时,Ci比 Ri增加得更快,从新的角度说明了 n的物理意义及其和界面脱层之间的关系.作为应用实例,拟合了不同特征的电化学阻抗谱,分析了有机涂层 /金属腐蚀体系阻抗变化的具体过程,区分了点蚀和脱层因素对阻抗谱的影响,从高阻抗体系同时得到了与不同空隙率有关的涂层电容和电阻值,并根据涂层体系的不均匀特征探讨了模型结构的物理意义.

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来源
《物理化学学报》 |2004年第1期|70-75|共6页
作者
孙秋霞; 张鉴清; 林昌健;
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作者单位

浙江大学化学系,杭州,310027;

浙江大学化学系,杭州,310027;

中国科学院沈阳金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳,110015;

厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门,361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电化学、电解、磁化学;
关键词
电化学阻抗谱(EIS); 传输线; 物理意义; 有机涂层;

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