PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

王灿; 石云; 方前锋; 朱震刚

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用传统的固态反应法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电陶瓷，在低频扭摆上采用强迫振动的方式，在０．０５～４Ｈｚ的频率范围内测量了ＰＺＴ铁电陶瓷的内耗温度特征．在室温至３５０℃的内耗－温度曲线上，２９０℃和１５０℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰Ｐ１和Ｐ２，并且在５０ ℃附近观察到一个较低的内耗峰．根据Ａｒ－ｒｈｅｎｉｕｓ关系，分别计算得到Ｐ１的激活能Ｅ１＝２．０９ｅＶ，τ０１＝３×１０－２０ｓ，Ｐ２的激活能Ｅ２＝１．０４ｅＶ，　０２＝８×１０－１４ｓ，并且分析了Ｐ１和Ｐ２内耗峰的机制．

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来源
《中山大学学报：自然科学版（中英文）》 |2001年第z2期|253-254|共2页
作者
王灿; 石云; 方前锋; 朱震刚;
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作者单位

中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类固体性质;
关键词
PZT; 铁电陶瓷; 内耗;

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