热压烧结法制备Cf／SiC陶瓷基复合材料研究

曹英斌; 张长瑞

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以有机硅先驱体聚碳硅烷为粘结剂，采用热压烧结工艺，制得了Ｃｆ／ＳｉＣ陶瓷基复合材料，并对其三点弯曲强度进行了测试和分析，结果表明：该工艺方法可方便的制得强度较高的陶瓷基复合材料单向板；其三点弯曲强度与试样的高跨比有很大关系，高跨比越大，弯曲强度越小；当高跨比为０．０７３时，材料弯曲强度为４７５．１ＭＰａ，断裂功为４．４７ｋＪ／ｍ＾２；材料的应力－应变曲线与普通陶瓷不同，表现塑性变形的非线性弹性特征

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来源
《宇航材料工艺》 |1998年第6期|35-37|共3页
作者
曹英斌; 张长瑞;
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作者单位

国防科技大学材料工程及应用化学系;

国防科技大学材料工程及应用化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类非金属复合材料;
关键词
热压烧结法; Cf／SiC; 陶瓷基; 复合材料; 弯曲强度;

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