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TSV阵列交流电阻计算方法的研究与实现

         
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硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为三维集成电路中的关键互连技术,用于连接不同层的芯片输入与输出.当通有交变电流的多个TSV相互靠近时,会产生邻近效应,造成TSV电阻的增大,从而影响TSV的传输性能.因此,提出了一种基于重心插值法计算TSV阵列交流电阻的方法,在对TSV横截面进行三角剖分和剖分顶点上电流强度确定的基础上,利用插值法计算TSV的交流功耗,利用交直流功耗比计算TSV的交直流电阻比,进而得出邻近效应影响下的TSV的交流电阻值.该方法实现了对任意规模、任意排布方式的TSV阵列交流电阻的计算,从而能够为三维集成电路中传输结构的设计提供指导和验证.最后,将算法的数值结果与商业求解器ANSYS Q3D的计算结果进行对比,实验结果表明,该方法的求解效果更佳.

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