邻近效应

摘要： 电动汽车的普及符合国家可持续发展战略,扁铜线永磁同步电机因其高功率密度成为各电动汽车企业研究的热点。然扁铜线绕组产生的高频涡流损耗使得扁铜线永磁同步电机在高转速区域的铜耗大大增加,输出功率急速降低。为了有效解决其高频下输出功率降低的问题,本文提出一种扁铜线绕组优化的方法,能够有效降低扁铜线绕组损耗,提高扁铜线绕组电机高转速下的输出效率。并以一台48槽8极电动汽车用扁铜线永磁同步电机为例,建立场路耦合计算模型,计算比较电机绕组优化前后交流绕组铜耗及转矩输出,验证了方法的有效性。

摘要： 对现行的有关高压电器的标准GB/T11022—2020,与作废的GB/T11022—2011中温升试验的差异内容进行了对比分析,重点介绍了三极串联方式、允许温升限值及周围环境等条款在新旧标准中的差异,希望研究结果有助于质量控制、产品设计及实验室检验检测人员快速理解和应用新版标准,为标准中温升试验规定的顺利落实奠定技术基础。

摘要： 针对目前感应式电导率传感器存在邻近效应影响导致测量不准确的问题,分析了感应式传感器产生邻近效应的机理。优化设计了一种基于非外部场的感应式电导率传感器探头及信号处理电路,进行了标定与稳定性实验。实验结果表明,非外部场传感器电导率测量准确度小于±0.05 mS/cm。在外界物质邻近电导率测量对比实验中,相较于OST36D型感应式传感器测量偏移达到-0.1 mS/cm~0.7 mS/cm,非外部场传感器的测量偏移小于±0.015 mS/cm,为海水电导率高精度测量提供了一个解决方案。

摘要： 环境减灾二号A/B卫星配置大气校正仪,为大气校正提供高精度大气参数信息。文章基于6S辐射传输模型,利用大气校正仪获取的大气参数对16 m相机进行同步大气校正和反射率反演,获得了合肥小麦田和敦煌戈壁滩2种典型地物的大气校正结果,并与中分辨率成像光谱仪(MODIS)地表反射率产品和地面实测光谱分别进行对比验证。结果表明:大气校正后图像清晰度明显提高,且与MODIS产品具有较好的一致性,相关系数达到98%以上;反演获得的地表反射率与地面实测数据相对误差保持在18%以下,大气校正效果明显且适用性强。

摘要： 铋(Bi)和铅(Pb)都是重元素,有很强的自旋-轨道耦合作用,由于原子半径接近,可形成丰富的原子取代合金结构.尽管对高温合金相有了较深入的研究,但对其低温物相的结构和超导物性的认识还很不全面.本文采用低温共沉积和低温退火的方法,在Si(111)-(7×7)衬底上制备了一种基于Bi(110)单晶结构中部分Bi原子被Pb取代的铅铋合金低温相超薄膜新结构,利用扫描隧道显微术(STM)对其结构和电子学性质进行了表征.通过结构表征,确定了合金薄膜表面呈现√2×√2R45°重构的PbBi_(3)合金相,其母体Bi(110)结构中25%的Bi原子被Pb取代了.通过STM谱学测量,发现合金相PbBi_(3)为超导相.变温实验表明,PbBi_(3)相的超导转变温度为6.13 K.在外加垂直磁场下出现的磁通涡旋结构表明PbBi_(3)薄膜是第Ⅱ类超导体,估算出上临界磁场的下限为0.92 T.测量了由Bi(110)-PbBi_(3)组成的共面型和台阶型正常金属-超导体异质结中的邻近效应,并研究了外加磁场对超导穿透深度影响.采用超导针尖与PbBi_(3)衬底形成超导-真空-超导隧道结,在超导能隙中观察到零偏压电导峰,进一步证实了PbBi_(3)的超导转变温度.

摘要： 近年来,在大秦线出现了检修换轨期间机车车载VCB在非分相区频繁跳闸导致列车停运的事故,本文针对事故原因进行了测试及仿真分析。结果表明,由于涡流截断效应,备用轨的端部被磁化较明显,磁化的备用轨对车载过分相装置产生一定的干扰。通过对基于霍尔效应和传统的法拉第电磁感应原理的两种过分相磁感应装置的对比,得出数字式霍尔效应磁感应装置相较于传统装置不易受干扰,因而改变磁场信号感应装置的原理也是一种解决过分相感应装置误动的措施。

摘要： 以航空电磁发射系统中的发射线圈为研究对象,考虑发射线圈参数对发射电流峰值的影响,采用有限元软件,建立线圈模型。重点分析交变电流引起的趋肤效应与邻近效应对线圈参数的影响规律,得知铝管替代相同外径的实心导线可以提高材料利用率。同时为节约空间提出了空心多匝的线圈结构,并且通过仿真得到了不同的匝间距离下线圈的交流电阻与电感的变化趋势,验证了该线圈结构能够通过合适的匝间距离有效减小线圈的交流电阻与电感,从而减小在交变电流下产生的交流损耗,增大发射电流峰值。在工程实践中制作完成发射线圈并进行实验,得到满足发射要求的电流峰值,提高对深部资源的探测能力。

摘要： 主要研究了电缆群交流电阻的计算和优化排列方式,计算电缆在不同截面积的情况下通过各种电流时候电缆的交流电阻,并且考虑电缆的邻近效应,得出在不同的相位最优电缆排列方式.

摘要： 邻近效应是指卫星成像过程中目标物周围自然环境反射的太阳辐射对卫星入瞳处目标像元辐亮度的贡献.它会导致卫星图像清晰度、对比度和信息熵值降低,并且导致表观反射率卫星影像中目标像元反射率介于其真实反射率和背景像元平均反射率之间,严重影响定量遥感精度.背景各像元对邻近效应的贡献权重值主要取决于大气分子光学厚度和气溶胶光学厚度,以及目标像元与背景像元之间的空间距离、反射率差值.目前计算该权重值的权重函数仅考虑了光学厚度和空间距离对该权重值的影响.亚米级空间分辨率卫星影像中地物组合复杂,相邻地物反射率差值对该权重值的影响要考虑.本文提出的自适应大气校正算法可根据光学厚度、空间距离和反射率差值来调整背景各像元对邻近效应的贡献权重值.利用自适应大气校正算法对GF-2全色波段卫星影像进行邻近效应校正,结果表明自适应大气校正算法可有效去除亚米级空间分辨率光学卫星影像中的邻近效应,提高定量遥感精度,改善卫星影像质量.

摘要： 电力系统中,在系统正常工作情况下,中压开关柜母线起传输电能的作用;在系统短路故障情况下,母线起承担系统短路电流产生的电动力和热效应确保包装设备不被损坏的作用;因此在设计过程中,选用合适规格的母线就显得尤为重要.该文以某中压开关柜母线为研究对象,通过集肤效应、邻近效应、铜排载流量、短路热稳定度、短路动稳定度等理论计算,来验证所选用的铜排规格是否满足设计要求.

摘要： 在无线电能传输(WPT)系统中,线圈是一种用来传递能量的磁性元件,线圈上的邻近效应会增加系统的损耗,从而使得WPT系统的传输效率降低.本文基于线圈的横截面平面模型,对线圈的邻近效应进行了分析.分析了存在邻近效应的情况下,线圈匝间距对线圈的影响,并提出了针对线圈匝间距的优化方法.通过分析WPT系统效率公式,得出影响效率的主要因素,针对影响效率的主要因素进行线圈的优化设计.最后通过仿真验证了最优化设计的合理性.

摘要： 变压器由于运行时间较长,变压器损耗引起的电能损失非常巨大.目前对变压器的建模研究往往进行简化处理,其损耗模型尚不精确,谐波背景下的损耗研究更是缺乏.本文以变压器绕组层为研究单位,从电磁场角度分析了交流场中绕组的集肤效应以及邻近效应对绕组电阻的影响,提出一种新的绕组电阻损耗处理方法.从损耗机理出发研究谐波背景下变压器损耗的计算方法,建立了变压器谐波损耗分析模型,并且通过对实际变压器进行定量计算和物理试验,验证所建变压器模型的精确性,为关标准的制定和变压器优化设计提供理论和数据支持.

摘要： 本文针对邻近效应影响下的金属平板交流电阻难以预估,需耗费大量资源通过试验进行测定的情况,提出了一种通过添加辅助线配凑二元方程,利用细线法对方程进行求解,进而获得邻近效应影响下的金属平板交流电阻的方法，并仿真分析了频率、线地间距、平板宽度、平板厚度对平板交流电阻的影响,为平板结构的设计提供了指导。

摘要： 绕组损耗是磁性元件设计的关键参数,备受关注.高频绕组涡流损耗包含集肤效应损耗和邻近效应损耗,现有计算高频绕组涡流损耗的理论方法有Dowell模型和Bessel模型,但高频情况下,随着邻近效应损耗的增加,Dowell模型和Bessel模型的局限性越来越突出.因此,本文基于高频绕组集肤效应和邻近效应所引起的分布规律,提出一种改进的高频绕组损耗模型,能够精确计算高频下的邻近效应损耗和集肤效应损耗,并且适用于圆导体的损耗计算.最后用2D有限元仿真验证所提出的损耗模型精度.

摘要： 在Dowell对高频功率电感绕组损耗理论分析与验证的基础上,讨论了高频功率电感在电流为三角波时绕组损耗的一种计算方法;以连续工作模式的BUCK转换器中使用的高频功率电感为例进行说明.本计算方法仅考虑由趋附效应与邻近效应引起的电感绕组高频损耗,未考虑由漏磁通引起的涡流损耗.

摘要： 本文建立了高压直流高速斥力机构多场耦合仿真模型,考了电磁场、电路以及机械运动过程的相互耦合.相比于传统的机构仿真模型,考虑了电流集肤效应和邻近效应的对机构运动特性的影响.通过仿真计算,获得了不用结构参数设计对机构电磁斥力和位移的影响规律.在此基础上,研制了200kV高压直流高速开关样机,并开展了运动特性实验.结果表明所研制的样机前2ms的最高分闸速度和平均分闸速度分别达到了15m/s和10m/s,在实现高速分闸的同时获得了良好的缓冲.

摘要： 空间遥感成像系统是一个场景作为输入,图像作为输出的综合系统，因此从成像链的概念来讲,遥感器的总体设计应该着眼链路的各个环节,单纯考虑成像器件和图像处理单元是事倍功半的，在整个成像链路中大气环节是遥感成像系统传统设计当中较少考虑的因素,这对较高分辨率的卫星成像来说误差是很大的。本文采用Monte Carlo随机统计方法模拟分析邻近效应影响,为全链路分析打下基础。

摘要： 集肤效应和邻近效应会导致交流电阻增加,使导体发热严重,故涡流损耗的准确计算至关重要.传统的解析算法很难考虑多排母线的磁场分布.本文选用数值方法在综合考虑集肤效应和邻近效应的前提下,分析了多排大电流铜环母线的磁场分布和电流分布,得出了铜环的交流电阻增加系数.最后对铜环的水冷方案进行了简要的分析论证.研究工作对大型变压器冷却系统的设计提供了技术准备.

摘要： 本文提出了一种可以预测硅基多层螺旋电感性能参数的新型频变电路模型。在本频变电路模型中,研究了衬底的涡流效应引起的损耗,并用部分元等效电路(PEEC)模型建模研究了金属导线集肤效应和邻近效应；在本电感频变电路模型中,各个频变参数的获得都由计算得到,没有使用任何优化拟合方法。在0-20GHz频率范围内,本模型预测所得到的基于0.18umCMOS 工艺片上螺旋电感的频变品质因数、频变电感值和测试结果的良好的吻合程度验证了本模型的正确性。

摘要： 开关电源功率密度不断提高以及高工作频率和大电流下变压器涡流损耗的急尉增大,对平面变压器的设计提出更高的要求。因此研究一种平面变压器的设计方法,对平面变压器进行系统的分析,以期找到一种合理的平面变压器设计方法是本文讨论的重点。本文首先对平面变压器进行整体性的分析,以及平面变压器设计的步骤及设计方法进行分析。同时对平面变压器的电路模型进行研究,分析其在电路中的作用,以其能够设计性价比高的平面变压器.其次对平面变压器所需的各种原材科,包含核心部件PCB板,铁氧体磁芯等重要部件进行介绍,对其设计方法和原材科的选择进行了分析。最后,简要介绍了影响平面变压器效率的热问题及集肤效应问题。

摘要： 根据一个一般方面，一种方法可以包括接收电路模型，该电路模型包括通过相应的单元所表示的逻辑电路。该方法可以包括提供对电路模型的定时调整。该提供可以包括：通过采用亚微米应力效应来确定作为用于调整的候选的一个或多个相应的单元，并且，对于每个候选，利用受应力单元来替换候选单元，其中，候选单元和受应力单元执行相同的逻辑功能。每个受应力单元可以包括：栅极电极；被安置为切割栅极电极的第一栅极切割形状，其中，第一栅极切割形状被安置在行边界上；安置在行边界上的第二栅极切割形状；被安置在第一栅极切割形状与第二栅极切割形状之间的栅极切割中断；有源区；以及被安置为切割有源区的有源切割形状。

摘要： 考虑邻近效应和趋肤效应的分裂导线交流电阻及内自感的计算方法，属于分裂导线的交流阻抗参数计算领域。本发明把分裂导线的趋肤效应和邻近效应转化为等效通流面积的变化，构造随导线的几何尺寸、相对位置变化的等效面积函数序列，以导线等效横截面的大小，反映趋肤效应和邻近效应的作用。提出了大尺度(不满足d＜＜a，d为电流透入深度，a为导体外半径)时，导体等效复阻抗随导体半径、通流频率变化的计算公式；给出了多分裂导线考虑趋肤效应和邻近效应等效面积的计算方法和公式，并得出等效交流电阻的计算方法。根据导线交流电阻求其等效内半径，进而计算考虑趋肤效应和邻近效应的导线内自感。

摘要： 本发明涉及一种集成电路以及利用嵌入式硅锗（SiGe）源/漏区域制造所述集成电路的方法，并且其中所述嵌入式硅锗（SiGe）源/漏区域中的附近浅沟道隔离结构的邻近效应被减少。嵌入式SiGe源/漏结构在每个栅电极的任意一面上，通过选择性外延到被蚀刻进半导体表面中的凹槽中形成。所述SiGe结构以所述凹槽深度的至少大约30%溢出凹槽，如从所述沟道区域与在栅电极边缘的上覆栅介电质之间的界面所测量的。这种溢出已经被观察到能够减少附近的浅沟道隔离结构对附近的晶体管的邻近效应。通过确保所述栅电极的边缘与最近浅沟道隔离结构的平行边缘之间的足够间距，可以获得邻近效应的额外减少。

摘要： 本公开提供一种基于水平集算法的超分辨光刻逆向光学邻近效应修正方法，包括：根据目标图形得到第一掩模数据，并构建水平集函数；进行正向仿真，得到光刻胶上的电场分布、掩模上的第一结构矢量电场分布；根据光刻胶上的电场分布得到光刻胶图形，计算光刻胶图形与目标图形的成像误差；进行伴随仿真，得到第二结构矢量电场分布；根据第一结构矢量电场分布、第二结构矢量电场分布及成像误差计算得到水平集梯度；使用水平集梯度对水平集函数进行演化，并更新得到第二掩模数据，使用第二掩模数据进行迭代计算，直至获得满足预设条件的掩模数据，完成逆向光学邻近效应的修正。本公开还提供一种表面等离激元超分辨的光刻方法、逆向光学邻近效应修正系统。

摘要： 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应预处理方法及与之相应的装置、介质及设备；通过对电路版图的校正，消除了潜在的断路风险；相关方法、装置等适用于局部版图紧密度高的场景，可避免高的刻蚀率引起的线端退缩，进而保证孔洞包覆率，避免断线等现象的出现。

摘要： 本发明涉及一种光学邻近效应校正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，该校正方法包括：获取光刻掩膜设计图形；从光刻掩膜设计图形中选中符合第一条件的孤立金属图形；对所述孤立金属图形进行预处理，使所述孤立金属图形两端的宽度大于中间的宽度；根据预处理后的孤立金属图形得到掩膜版制版图形。对孤立金属图形进行额外的OPC处理，使孤立金属图形两端的宽度均大于中间的宽度，能够避免因光学邻近效应导致的孤立金属图形形成金属线条后在端部出现线条短缺，使得金属线条对前一层次填充孔的填充包裹效果较差，导致器件关键参数波动的问题，使得产品性能更稳定。

摘要： 本公开提供一种应用于超分辨光刻的像素化光学邻近效应修正方法，包括：S1，根据目标图形得到像素化的初始掩模数据；S2，根据初始掩模数据和超分辨光刻的条件计算光刻胶输出图形与目标图形的成像误差；S3，对初始掩模数据进行编码，初始化超分辨光刻的结构参数、基于协方差矩阵自适应更新策略算法的参数；S4，利用基于协方差矩阵自适应更新策略算法进行迭代运算，直至获得满足预设条件的掩模数据，完成光学邻近效应的修正。本公开还提供一种将像素化光学邻近效应修正应用于超分辨光刻的方法、像素化光学邻近效应修正系统、电子设备、存储介质和程序产品。

摘要： 实施方式提供一种不管衬底的表面形状如何均能够适当修正邻近效应的邻近效应修正方法、描绘方法及描绘装置。实施方式的邻近效应修正方法中，根据从外部输入的描绘信息及从外部输入的衬底的表面形状信息，算出因电子束在衬底中背向散射而产生的背向散射束的能量分布，并根据所算出的能量分布来算出电子束的所需能量。描绘信息是用以通过照射电子束而在衬底上的抗蚀膜形成图案的信息，表面形状信息是关于相对于电子束的照射方向而具有不同高度的衬底的高度的信息。

摘要： 本发明提供一种光学邻近效应校正的方法，获取需光学邻近效应校正的目标图形和第一菜单参数，第一菜单参数用于控制目标图形校正后的模拟轮廓，模拟轮廓位于目标图形外的面积差定义为代价函数；形成与目标图形的轮廓边缘相贴合且连续的线段，设置标记点于线段上，之后利用算法生成多组不同位置的标记点，得到每组标记点对应的代价函数；选择多组代价函数中数值最小的标记点和线段的参数，并根据其得到第二菜单参数；根据第二菜单参数对目标图形进行光学邻近效应校正。本发明应用“基因算法”优化光学临近效应的菜单参数，使校正后的图形轮廓更平滑，更符合目标图形。

摘要： 本文中描述一种用于确定掩模图案的方法和一种用于训练机器学习模型的方法。所述用于确定掩模图案的方法包括：经由使用待印制于衬底上的目标图案作为输入图案而执行模型来获得光学邻近效应校正后(OPC后)图案；基于OPC后图案来确定将被印制于所述衬底上的模拟图案；和基于所述模拟图案与所述目标图案之间的差异来确定所述掩模图案。对所述掩模图案的所述确定包括：基于所述差异来修改被输入至所述模型的所述输入图案以使得所述差异减小；以及使用经修改的输入图案来执行所述模型以产生经修改的OPC后图案，能够从所述经修改的OPC后图案导出所述掩模图案。