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基于水平集算法的超分辨光刻逆向光学邻近效应修正方法

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本公开提供一种基于水平集算法的超分辨光刻逆向光学邻近效应修正方法，包括：根据目标图形得到第一掩模数据，并构建水平集函数；进行正向仿真，得到光刻胶上的电场分布、掩模上的第一结构矢量电场分布；根据光刻胶上的电场分布得到光刻胶图形，计算光刻胶图形与目标图形的成像误差；进行伴随仿真，得到第二结构矢量电场分布；根据第一结构矢量电场分布、第二结构矢量电场分布及成像误差计算得到水平集梯度；使用水平集梯度对水平集函数进行演化，并更新得到第二掩模数据，使用第二掩模数据进行迭代计算，直至获得满足预设条件的掩模数据，完成逆向光学邻近效应的修正。本公开还提供一种表面等离激元超分辨的光刻方法、逆向光学邻近效应修正系统。

著录项

公开/公告号CN114200768A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-18

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院光电技术研究所;
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申请/专利号CN202111594444.9
发明设计人罗先刚;孔维杰;刘相志;尹格;王长涛;
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申请日2021-12-23
分类号G03F1/36(20120101);G03F7/20(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人李世阳
地址 610209 四川省成都市双流350信箱
入库时间 2023-06-19 14:34:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-18

公开

发明专利申请公布

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2. 基于逆向刻蚀模型确定光学临近修正光刻目标图案的方法 [P] . 中国专利： CN112485976A . 2021-03-12