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一种降低光刻工艺中静电损伤的方法

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摘要

集成电路光刻工艺中,由于静电造成晶圆缺陷、电学失效或者低良率的情况时有发生o这是一种低成本的工艺方法(低功率等离子体轰击),释放积聚在晶圆表面的静电,主要研究了静电产生的机制、降低静电损伤的效果和内在机制.

著录项

来源
《集成电路应用》 |2017年第3期|53-55|共3页
作者
沈今楷; 刘春玲; 王星杰;
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作者单位

上海华虹宏力半导体制造有限公司,201203;

上海华虹宏力半导体制造有限公司,201203;

上海华虹宏力半导体制造有限公司,201203;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
光刻; 静电; 工艺导致的损伤; 等离子体;

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