AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响

宋国强; 檀柏梅; 刘玉岭; 王辰伟

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AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响

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铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素.研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响.结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张力和接触角逐渐增大,润湿性逐渐变差,抛光液中大颗粒数先减少后增加,当EO数为9时,大颗粒数最少,且粒径分布(PSD)趋于窄化.随EO加成数增加,Ta去除速率基本不变,Cu和SiO2介质去除速率分别由378(A)/min和695 (A)/min降至167(A)/min和234/(A)/min,当EO加成数为9时,粗糙度最低,可达0.72 nm,且Cu和SiO2介质去除速率与baseline接近.

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来源
《应用化工》 |2021年第9期|2362-2366|共5页
作者
宋国强; 檀柏梅; 刘玉岭; 王辰伟;
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作者单位

河北工业大学电子信息工程学院天津300130;

天津市电子材料与器件重点实验室天津300130;

河北工业大学电子信息工程学院天津300130;

天津市电子材料与器件重点实验室天津300130;

河北工业大学电子信息工程学院天津300130;

天津市电子材料与器件重点实验室天津300130;

河北工业大学电子信息工程学院天津300130;

天津市电子材料与器件重点实验室天津300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子工业用试剂;表面处理;
关键词
铜互连; 阻挡层CMP; 表面活性剂; EO加成数; 粗糙度; 大颗粒计数; 粒径; 去除速率;

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