集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究

王子艳; 周建伟; 王辰伟; 张佳洁; 张雪; 王超

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cqvip:针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO2 H2O2体系抛光液中研究了(NH4)2SO4和2,2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率的影响,并使用钌阻挡层图形片对抛光液的平坦化性能进行验证。结果表明,(NH4)2SO4的添加可以提高Cu、Ru和TEOS的去除速率,进一步加入TT后,Cu的去除速率减小,Ru和TEOS的去除速率基本不变。采用由5%(质量分数,下同)SiO2、0.15%H2O2、40 mmol/L(NH4)2SO4和1 g/L TT组成的抛光液对钌阻挡层图形片化学机械抛光30 s后,碟形坑和蚀坑的深度得到了有效降低。

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来源
《电镀与涂饰》 |2020年第1期|49-53|共5页
作者
王子艳; 周建伟; 王辰伟; 张佳洁; 张雪; 王超;
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作者单位

河北工业大学电子信息工程学院天津 300130;

天津市电子材料与器件重点实验室天津 300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属电抛光及化学抛光;
关键词
铜; 钌; 二氧化硅; 化学机械抛光; 硫酸铵; 2; 2′-{(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基亚氨基}双乙醇;

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