65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

李丽丽; 汪栋; 刘夏杰; 吕永红; 李坤锋; 蔡莉; 史淑廷; 惠宁; 郭刚

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65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

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利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析.结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率.

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来源
《原子能科学技术》 |2018年第7期|1326-1334|共9页
作者
李丽丽; 汪栋; 刘夏杰; 吕永红; 李坤锋; 蔡莉; 史淑廷; 惠宁; 郭刚;
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作者单位

中广核研究院有限公司,广东深圳 518026;

中广核研究院有限公司,广东深圳 518026;

中广核研究院有限公司,广东深圳 518026;

中广核研究院有限公司,广东深圳 518026;

中广核研究院有限公司,广东深圳 518026;

中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413;

中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413;

中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413;

中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413;

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正文语种 chi
中图分类无线电电子学的应用;
关键词
多位翻转; 静态随机存储器; 双阱; 电荷共享; 重离子; 微束实验;

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