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何安林; 郭刚; 沈东军; 刘建成; 史淑廷;
中国原子能科学研究院 核物理研究所;
北京 102413;
质子单粒子翻转; 空间辐射环境; 错误率预估;
机译:单事件扰动低能质子对65 nm SRAM中测试因子的敏感性的依赖性
机译:低能质子引起的65 nm DDR和QDR商业SRAM单事件翻转
机译:3-17低能质子在65 nm商业QDR II SRAM中引发单事件翻转的实验研究
机译:重离离子,高能质子和低能质子诱导0.18μm和65nm SRAM SES的实验研究
机译:T(z)= -3 / 2,A = 4n + 1个β延迟质子发射体扩展到硒65和锶73,并且从T(z)发出低能β延迟质子发射- 3/2,A = 4n + 3核铝23。
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:在65 nm工艺技术的不同工艺角处分析8T SRAM单元
机译:将T(sub z)=(负)3/2,a = 4n + 1系列β延迟质子发射体延伸至(sup 65)se和(sup 73)sr,以及低能β延迟质子发射T(sub z)=(minus)3/2,a = 4n + 3 nucleus(sup 23)al
机译:在活动减少期间使用升高的SRAM电压降低SRAM阵列中软错误率的方法和装置
机译:质量预估算设备,质量预估算方法和质量预估算程序
机译:预估距离计算器,预估距离计算方法,预估距离计算程序和自动计划器
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