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HE Anlin; 何安林; GUO Gang; 郭刚; SHEN Dongjun; 沈东军; LIU Jiancheng; 刘建成; SHI Shuting; 史淑廷;
中国原子能科学研究院;
随机静态存储器; 质子单粒子翻转; 空间辐射环境; 错误率预估;
机译:用于不同质子能量的65nm 3D SRAM单元的敏感体积的各种能量沉积
机译:采用有源钳位睡眠晶体管的65nm CMOS工艺中的256-Kb Dual-$ {V} _ {rm CC} $ SRAM构造模块
机译:采用有源钳位睡眠晶体管的65nm CMOS工艺中的256Kb双VCC SRAM构造块
机译:重离离子,高能质子和低能质子诱导0.18μm和65nm SRAM SES的实验研究
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:计算分析争议质子在具有65nm CMOS技术的SRAM存储器上相应成员中的作用
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较
机译:在活动减少期间使用升高的SRAM电压降低SRAM阵列中软错误率的方法和装置
机译:低于65nm电流垂直结柱的稳健自对准工艺
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