用于中间带太阳电池的InAs/GaAs1-xSbx量子点研究

叶赛; 季莲

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使用8带k.p理论模型对不同Sb元素组分的InAs/GaAs1-xSbx量子点进行了模拟计算.模拟结果显示InAs/GaAs1-xSbx量子点在覆盖层中的Sb元素组分增加到14％后会使其能带结构转变为II类.在这一转变过程中,载流子的波函数显示电子基态的位置基本不变,始终坐落于量子点内,而空穴基态则在Sb元素组分为10％-14％时从InAs量子点区域移动到GaAsSb覆盖层中,并最终产生电子和空穴的空间分离.研究还表明了增大量子点尺寸会削弱其子带能级间的分离趋势,进而降低量子点的带间跃迁能量.

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来源
《建筑热能通风空调》 |2021年第8期|38-41|共4页
作者
叶赛; 季莲;
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作者单位

南京工业大学能源科学与工程学院;

南京工业大学能源科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
InAs/GaAs1-xSbx量子点; 8带k.p理论; Ⅱ类结构; 中间带太阳电池;

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