硅微电子技术物理极限对策探讨

王占国

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根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米.届时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将不再适用;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求.本文首先介绍硅材料国内、外的发展现状与趋势,进而讨论后摩尔时代的微电子技术发展可能采取的对策,最后展望基于全新原理的纳米电子、分子电子、光计算和量子信息技术的发展前景.

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来源
《中国科学院院刊》 |2007年第6期|480-485|共6页
作者
王占国;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

北京;

100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
硅材料; 微/纳米电子技术; 分子电子技术; 量子信息技术; 光计算技术;

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