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李义和; 王本根; 傅圣利; 王清华;
国防科学技术大学材料工程与应用化学系,湖南,长沙,410073;
ZnS:Mn2+; 掺杂; 半导体纳米微晶材料;
机译:ZnS纳米微晶共烧Mn掺杂ZnS荧光粉的光致发光和微观结构
机译:热稳定共掺杂ZnS纳米微晶的结构和光学行为
机译:锂共掺杂(Zn,Co)O纳米微晶的室温合成和多铁响应
机译:新型金属复合氧化物及其掺杂半导体气敏材料的研究进展
机译:过渡金属掺杂的硒化锌和硫化锌纳米微晶体的光学,激光光谱和电学表征
机译:Ba(Zn1-2xMnxCux)2As2:Zn位点上带有Mn和Cu共掺杂的块状稀释铁磁半导体
机译:溶胶-凝胶法共掺杂SnO2 / TiO2半导体纳米微晶的合成与表征
机译:Znse,Gaas和Ge半导体半导体异质结的研究进展报告,截止日期为1968年9月30日
机译:具有P或N型半导体层的Pin结光伏元件,该P或N型半导体层包括含量为1-4原子%的Zn,Se,Te,H的非单晶材料,以及包含非单晶Si的掺杂和I型半导体层(H,F)材料
机译:带有P或N型半导体层的Pin结光伏元件,该P或N型半导体层包括含量为1-4原子%的Zn,Se,H的非单晶材料,以及包含非单晶Si(H)的掺杂和I型半导体层,F)材料
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