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FD-SOI技术助力中国半导体业快速崛起

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FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是一项采用现有的制造方法和基础设施,通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现平面晶体管结构的技术。FD-SOI技术集成了两大互相协作的创新工艺：一是在底部硅层上部使用超薄的氧化绝缘体。

著录项

来源
《中国电子商情：基础电子》 |2016年第4期|12-13|共2页
作者
单祥茹;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子工业;
关键词
平面晶体管; 半导体业; 硅晶圆; FD-SOI技术; 摩尔定律; 埋层; 芯片面积; 电子产品; 代工厂; 副总裁;

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