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飞兆半导体公司;
IGBT; 性能; 电力电子产品; 能源系统; 保护功能; 逆变器; 高电压; 晶体管;
机译:ROHM开发了传导损耗低的650V耐压IGBT并实现了高速开关
机译:ROHM开发了具有低传导损耗和高速开关功能的650V耐压IGBT。
机译:兼容低导通损耗和高速开关特性 - 开发650V耐压IGBT
机译:新一代3300V芯片,带有沟槽式IGBT和优化的场截止概念,具有平稳的开关性能
机译:BSSS玉米合成品种的高X高,高X低和低X低交叉的平均性能和杂种优势
机译:Sr1-xKxFe2As2织带中的高临界电流密度和低各向异性用于高场应用
机译:用于高达200 kHz的DC-DC转换的高速650V IGBT
机译:高场超导体的发展和理解:a。确定铌钛的性能极限; B.确定Chevrel相材料是否可以成为有用的高场超导体。进展报告,1992年6月1日 - 5月31日,19日
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:MOSFET,高截止二极管,高压晶体管和IGBT的边缘在绝缘层上或绝缘层的表面上方均设有筛状场板
机译:通用外壳,用于高功率密度的组件,尤其是用于igbts和二极管,具有低电感和无线键合的化合物
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