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ローム低導通損失と高速スイッチング両立650V耐圧IGBTを開発

机译：ROHM开发了具有低传导损耗和高速开关功能的650V耐压IGBT。

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ロームはソフトスイッチング性能を保持しつつ、業界トップクラスの低導通損失と高速スイッチングを両立させた65OV耐圧のIGBT (絶縁ゲート型バイポーラ·トランジスタ)を開発した。
机译：罗姆开发了65 OV耐压IGBT（绝缘栅双极晶体管），该器件既具有业界领先的低导通损耗，又具有高速开关性能，同时又保持了软开关性能。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2018年第17396期|1-1|共1页
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