非平衡载流子的注入对硅片薄层电阻测量的影响研究

机译：多晶硅片上薄层电阻测量晶体缺陷的新技术

机译：微波法测定掺杂硅片整体和表面非平衡电荷载流子的复合率

机译：纳普森开发出半自动四探针电阻率/薄层电阻测量设备非接触电阻率/薄层电阻测量设备扩展到太阳能电池

机译：通过比较测得的和计算出的薄层电阻值，验证从扩展电阻测量得出的载流子密度分布

机译：半导体中弹道自旋电流，载流子密度和载流子自旋的光学注入和相干控制。

机译：非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关

机译：热载流子注入对mOsFET抗电磁干扰的影响研究

机译：si，GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEmT）晶片的非接触迁移率，载流子密度和薄层电阻测量。

机译：载流子注入装置，载流子注入方式和载流子注入体

机译：发光有机组分包括第一电荷载流子注入层和第二电荷载流子注入层以及设置在它们之间的发光层，以及第一电荷载流子传输层

机译：变更影响研究支持程序，变更影响研究支持设备和变更影响研究支持方法