cqvip:文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度对其光电性能的影响。模拟结果显示,CdS的电子亲和势不能低于3.8eV;随着CdS禁带宽度的增加,Voc、Jsc和Eff均逐渐减小;随着CdS厚度的增加,电池的FF、Jsc、Eff均明显下降;随着硅片厚度的增加,Jsc、Voc及Eff都有不同程度的提升。
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