应用于70nm及其以下的光刻技术的光刻胶制程控制

机译：应用于蓝宝石衬底的双层光刻胶互补光刻技术，用于产生亚微米图案

机译：分子内酯化反应用于50 nm以下光刻胶的负音多酚抗蚀剂

机译：具有Zigzag超级截止CMOS（ZSCCMOS）的泄漏抑制时钟门控电路，用于泄漏占主导地位的70nm以下和1V-V / sub DD / LSI以下

机译：沉浸式纳米球超光刻技术用于制造周期小于700nm的70nm以下的纳米孔

机译：精密准分子激光光刻技术，用于带有厚光刻胶的圆柱形基板。

机译：SU-8光刻胶的185 nm扩散光光刻技术原型制作的具有轴突分离的微流体长期梯度发生器

机译：使用真空光刻胶的干涉光刻技术形成大面积亚微米周期等离子体激元结构

机译：X射线光刻技术应用于硅器件制造。

机译：成像设备，应用于该成像设备的控制方法以及应用于该成像设备的介质提供控制程序

机译：可用于光刻技术的光刻胶组合物，其尺寸要求极小，且光刻胶的形成方法

机译：用于制造半导体器件的光刻技术中使用的光刻胶灵敏度评估方法和制造光刻胶的方法