一种能提高DRC友好性和CMP形貌的冗余金属填充方法

卢普生; 李雪; 范忠; 吕冬琴; 李天真; 张立夫

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一种能提高DRC友好性和CMP形貌的冗余金属填充方法

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cqvip:化学机械研磨(CMP)被广泛用于铜镶嵌工艺,研磨后铜的厚度和表面形貌对65纳米以下的工艺显得越来越重要,厚度和形貌的变动会对芯片良率和性能造成恶劣影响,所以必须在设计时就进行慎重的考虑。众所周知,插入冗余金属是提升CMP形貌的一个好方法,通常基于规则的方法广泛用于65纳米及以上工艺中,但是该技术在比较先进制程中显示不出其优越性。本文阐述了一种基于模型的冗余金属填充方法,它是根据设计版图中的周围环境用计算机算法来填充。这一方法的优点有以下几方面:在设计规则检查(DRC)中更少的违规数量,更密集的图形密度分布和更少的填充图案数量,更小的密度和周长梯度。在使用40纳米工艺的晶圆上,基于模型方法得到的表面平坦度与基于规则的填充方法相当,但是比公开的其它填充方法要好。

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来源
《中国集成电路》 |2011年第6期|P.84-8793|共5页
作者
卢普生; 李雪; 范忠; 吕冬琴; 李天真; 张立夫;
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作者单位

中芯国际集成电路制造有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP311.13;
关键词
化学机械研磨; 可制造性设计; 冗余图形填充;

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