首页> 中文期刊> 《中国集成电路》 >台湾地区半导体材料研究获重大突破

台湾地区半导体材料研究获重大突破

         

摘要

台湾地区科技部日前宣布,台湾地区、日本、沙特阿拉伯等跨国团队,已研究出单层二硫化钼P—N接面,可望取代晶圆芯片成为新世代半导体核心元件,广泛应用在可穿戴设备及手机中。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号