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芯片多内核工艺获得巨大突破

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AMD与IBM日前共同宣布，已突破应变型硅晶(strained silicon)漏电问题，可在相同耗电量上一举提升晶体管效能24％，显示其下一代双核心及多核心架构处理器技术优势。与此同时，英特尔决定将2006年双核心处理器在桌上型计算机(DT）市场出货比重，由原先目标40％调高到70％。

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来源
《中国集成电路》 |2005年第1期|34-34|共1页
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正文语种 chi
中图分类数字电视;运算器和控制器（CPU）;
关键词
内核; 处理器; AMD; 芯片; 计算机; IBM; 英特尔; 突破; 市场; 调高;

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