ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量

卢洋藩; 陈匆; 曾昱嘉; 叶志镇

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ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量

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量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了ZnO量子点,并对该量子点的局域态密度进行了测量。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布在衬底表面,直径约10~15nm;PL谱显示ZnO量子点的发光波长随量子点的直径增加而红移。采用STM/STS测量了ZnO量子点表面的局域态密度,并在部分量子点中观测到禁带中分立、对称的能级,结果分析表明这些禁带中的能级源自VO-VZn的形成。

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来源
《中国科技论文》 |2016年第4期|P.371-373|共3页
作者
卢洋藩; 陈匆; 曾昱嘉; 叶志镇;
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作者单位

浙江大学材料科学与工程学院,杭州I310027;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类材料;
关键词
半导体材料生长; ZnO; 金属有机化学气相沉积; 量子点; 局域态密度;

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