宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究

刘群; 倪牮; 张建军; 马峻; 王昊; 赵颖

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宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究

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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,制备了高锗含量（原子百分含量）的氢化微晶硅锗（μc-Si1-x Gex：H）材料。通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex：H薄膜的结构及光电性能。在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1-xGex：H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77%的μc-Si1-xGex：H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300nm,此时电池效率达到3.16%。

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来源
《中国科技论文》 |2015年第4期|P.429-432|共4页
作者
刘群; 倪牮; 张建军; 马峻; 王昊; 赵颖;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的性质;
关键词
微晶硅锗; 离子轰击; 长波响应; 太阳电池;

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